利用區(qū)熔單晶爐進(jìn)行以下操作：

1.清爐、裝爐;

2.抽空、充氣、預(yù)熱;

3.化料、引晶;

4.生長細(xì)頸;

5.擴(kuò)肩及氮?dú)獾某淙?

6.轉(zhuǎn)肩、保持及夾持器釋放;

7.收尾、停爐清爐、裝爐：

(1)清洗整個爐室內(nèi)壁及加熱線圈、反射器、晶體夾持器、上軸、下軸，調(diào)整加熱線圈和反射器的水平及與上軸、下軸的對中;將多晶料夾具固定到多晶料尾部的刻槽處，然后將其安裝到上軸末端，進(jìn)行多晶料的對中;將籽晶裝入籽晶夾頭上，然后將其安裝到下軸頂端;關(guān)閉各個爐門，擰緊各緊固螺栓;

(2)抽空、充氣，預(yù)熱：打開真空泵及抽氣管道閥門，對爐室進(jìn)行抽真空，真空度達(dá)到所要求值時，關(guān)閉抽氣管道閥門及真空泵，向爐膛內(nèi)快速充入氬氣;當(dāng)充氣壓力達(dá)到相對壓力1bar-6bar時，停止快速充氣，改用慢速充氣，同時打開排氣閥門進(jìn)行流氬;充氣完畢后，對多晶硅棒料進(jìn)行預(yù)熱，預(yù)熱使用石墨預(yù)熱環(huán)，使用電流檔，預(yù)熱設(shè)定點(diǎn)25-40%，預(yù)熱時間為10-20分鐘;

(3)化料、引晶：預(yù)熱結(jié)束后，進(jìn)行化料，化料時轉(zhuǎn)入電壓檔，發(fā)生器設(shè)定點(diǎn)在40-60%;多晶料熔化后，將籽晶與熔硅進(jìn)行熔接，熔接后對熔區(qū)進(jìn)行整形，引晶;

(4)生長細(xì)頸：引晶結(jié)束后，進(jìn)行細(xì)頸的生長，細(xì)頸的直徑在2-6mm，長度在30-60mm;

(5)擴(kuò)肩及氮?dú)獾某淙耄杭?xì)頸生長結(jié)束后，進(jìn)行擴(kuò)肩，緩慢減少下速至3±2mm/min，同時隨著擴(kuò)肩直徑的增大不斷減少下轉(zhuǎn)至8±4rpm，另外還要緩慢減小上轉(zhuǎn)至1±0.5rpm;為了防止高壓電離，在氬氣保護(hù)氣氛中充入一定比例的氮?dú)猓獨(dú)獾膿饺氡壤鄬τ跉鍤獾?.01%-5%;

(6)轉(zhuǎn)肩、保持及夾持器釋放：在擴(kuò)肩直徑與單晶保持直徑相差3-20mm時，擴(kuò)肩的速度要放慢一些，進(jìn)行轉(zhuǎn)肩，直至達(dá)到所需直徑，單晶保持，等徑保持直徑在75mm-220mm，單晶生長速度1mm/分-5mm/分，在擴(kuò)肩過程中，當(dāng)單晶的肩部單晶夾持器的銷子的距離小于2mm時釋放夾持器，將單晶夾住;

(7)收尾、停爐：當(dāng)單晶拉至尾部，開始進(jìn)行收尾，收尾到單晶的直徑達(dá)到Φ10-80mm，將熔區(qū)拉開，這時使下軸繼續(xù)向下運(yùn)動，上軸改向上運(yùn)動，同時功率保持在40±10%，對晶體進(jìn)行緩慢降溫。

篇2:單晶硅拉制工安全操作規(guī)程

1.檢查好晶軸、坩禍軸的旋轉(zhuǎn)、升降是否靈活均勻。如果過緊時調(diào)節(jié)爐膛上的密封圈,緊固到不漏氣為準(zhǔn)。若擰時不漏氣但旋轉(zhuǎn)升降不靈活均勻,則要更換密封圈。

2.真空泵運(yùn)轉(zhuǎn)的方向應(yīng)按規(guī)定的方向旋轉(zhuǎn),否則可能引起機(jī)械泵油倒灌到擴(kuò)散泵中去。若真空泵電動機(jī)電源線有松掉或斷落現(xiàn)象時,應(yīng)將真空泵和擴(kuò)散泵連接的塑料管拉掉,調(diào)整電動機(jī)旋轉(zhuǎn)方向。

3.使用擴(kuò)散泵必須避免油的氧化。

4.封爐時須檢查爐門橡皮是否有油污物,是否能起密封作用,同時檢查爐膛內(nèi)有沒有多余物件。

5.增溫前要開冷卻水,并檢查水是否暢流,以防燒壞設(shè)備。

6.運(yùn)動部件如導(dǎo)軌、絲杠等經(jīng)常要擦洗、潤滑。籽晶軸和坩鍋要經(jīng)常用紗布酒精或甲苯擦干凈。采用水冷卻要防止漏水生銹。

7.爐膛內(nèi)要保持光亮清潔。,工作之后應(yīng)及時清除氧化物,爐膛應(yīng)常關(guān)閉。爐子不工作時,必須保持真空度,以使石墨件不受潮濕且能延長擴(kuò)散泵使用壽命。

8.密封圈和橡皮墊,切忌用油和酒精之類擦拭,也不得壓得過緊。

9.先開主機(jī)箱風(fēng)扇電動機(jī)使風(fēng)扇轉(zhuǎn)動,風(fēng)向向上,說明相序正確。再打開“增熱”按鈕。若發(fā)現(xiàn)相序不對,風(fēng)扇不轉(zhuǎn),應(yīng)立即停止增熱排除故障。

10.首先將細(xì)調(diào)調(diào)至中間位置進(jìn)行主回路送電。打開操縱臺上的總電源開關(guān),操縱臺上各個開關(guān)與相應(yīng)的部分應(yīng)正常工作。總勵磁有指示才能開直流電動機(jī)(籽晶、坩堝、軸)。

11.主機(jī)箱中因有鼓風(fēng)機(jī)振動,每隔一段時間應(yīng)打開箱子檢查各螺釘是否有松動現(xiàn)象,如有松動應(yīng)立即擰緊。

12.操縱臺的邊線有其相位關(guān)系,操縱臺與回路之間也有同位關(guān)系,一經(jīng)調(diào)好之后,就不要再動。檢查修理時若要拆線必須做好標(biāo)志,以免搞錯。

13.用化學(xué)方法腐蝕已清洗完畢的多晶硅(回爐多晶)后,要每塊仔細(xì)地檢查有無氧化物,若有蝕渣氧化物須重新腐蝕。

14.裝料時必須檢查石英坩堝有無裂紋,有無白點(diǎn)和氣泡,裝料要裝穩(wěn)。

15.籽晶必須裝牢,也不得裝歪(偏離軸心線不大于3℃)。

16.裝爐時必須檢查爐內(nèi)石墨件有無裂紋、氧化層和短路現(xiàn)象,增熱器和電極是否接觸良好。同時熱部件要裝得正,爐子漏氣時不準(zhǔn)熔硅。

17.摻雜時一定要把籽晶提高,置于摻雜勺上方。

18.拉晶中途出了事故被迫停爐時,應(yīng)把石墨托升到最高位置。

19.不同廠、不同爐次多晶柱制高阻單晶時,每爐多晶柱應(yīng)分開使用,以利拉制高低阻單晶。

20.真空復(fù)合計的指示必須大于0.133帕(0.001毫米汞柱)以上才能開硅管增熱器進(jìn)行測量,真空度要大于0.0133帕(0.0001毫米汞柱)才能進(jìn)行除氣,除氣不能超過5分鐘。

21.用自來水冷卻時先打開7號水龍頭(注:水龍頭編號系根據(jù)設(shè)備具體情況確定),再打開4號水龍頭,最后開房內(nèi)的總龍頭(在開自來水之前要把調(diào)壓開關(guān)關(guān)緊。6號水龍頭也要關(guān)好),即可使用。

22.用水泵時需看7號水龍頭的流量,流量過大將調(diào)壓開關(guān)開大,過小將調(diào)壓開關(guān)關(guān)小,否則壓力過大會損壞設(shè)備。

23.若水槽水溫升高而自來水壓力不夠則按以下程序操作:

(1)將5號水龍頭打開,

(2)將7號水龍頭打開,爐內(nèi)熱水從地流出。

24.若發(fā)現(xiàn)外壓升高,應(yīng)將房內(nèi)總水龍頭關(guān)掉,然后關(guān)水泵。當(dāng)爐子處在增熱狀態(tài)時應(yīng)按第22條使用。

25.裝好爐以后用電表測量電極與坩鍋軸是否短路,若有短路應(yīng)立即排除。

——摘自《機(jī)械工人安全技術(shù)操作規(guī)程》